Single Crystal Germanium Wafer / Ingot Featured Image

ດຽວ Crystal Germanium Wafer / Ingot

ລາຍລະອຽດ

ກ້ອນດຽວຂອງເຢຍລະມັນ wafer/Ingotຫຼື monocrystalline germanium ມີລັກສະນະເປັນສີຂີ້ເຖົ່າເງິນ, ຈຸດ melting 937 ° C, ຄວາມຫນາແຫນ້ນ 5.33 g / cm.³.germanium ໄປເຊຍກັນແມ່ນ brittle ແລະມີພລາສຕິກພຽງເລັກນ້ອຍໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ.germanium ຄວາມບໍລິສຸດສູງແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຂດທີ່ລອຍແລະ doped ກັບ indium ແລະ gallium ຫຼື antimony ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບການນໍາທາງ n-type ຫຼື p-type, ເຊິ່ງມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຂອງເອເລັກໂຕຣນິກສູງແລະການເຄື່ອນຍ້າຍຂຸມສູງ, ແລະສາມາດໃຫ້ຄວາມຮ້ອນດ້ວຍໄຟຟ້າສໍາລັບການຕ້ານການຫມອກຫຼືຕ້ານການ icing. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ.Single Crystal Germanium ແມ່ນປູກໂດຍເຕັກໂນໂລຢີ Vertical Gradient Freeze VGF ເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ການຖ່າຍທອດທີ່ດີ, ດັດຊະນີ refractive ສູງແລະລະດັບຄວາມສົມບູນຂອງເສັ້ນດ່າງສູງ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ຄຣິສຕິກເຢຍລະມັນດ່ຽວ ພົບເຫັນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ໂດດເດັ່ນແລະກວ້າງ, ເຊິ່ງຊັ້ນຮຽນເອເລັກໂຕຣນິກຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບ diodes ແລະ transistors, ຊັ້ນ infrared ຫຼື optical germanium ເປົ່າຫຼືປ່ອງຢ້ຽມແມ່ນສໍາລັບປ່ອງຢ້ຽມ optical IR ຫຼືແຜ່ນ, ອົງປະກອບ optical ທີ່ໃຊ້ໃນວິໄສທັດໃນຕອນກາງຄືນແລະວິທີແກ້ໄຂການຖ່າຍຮູບ thermographic ສໍາລັບຄວາມປອດໄພ, ການວັດແທກອຸນຫະພູມຫ່າງໄກສອກຫຼີກ, ອຸປະກອນການຕໍ່ສູ້ໄຟແລະອຸປະກອນການຕິດຕາມກວດກາອຸດສາຫະກໍາ, doped lightly P ແລະ N wafer Germanium wafer ຍັງສາມາດນໍາໃຊ້ສໍາລັບການທົດລອງຜົນກະທົບ Hall.Cell grade ແມ່ນສໍາລັບ substrates ທີ່ໃຊ້ໃນ III-V triple-junction solar cells ແລະສໍາລັບພະລັງງານລະບົບ PV Concentrated ຂອງ cell solar ແລະອື່ນໆ.

ສອບຖາມໄດ້

ລາຍລະອຽດ

ປ້າຍກຳກັບ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ເຊນດຽວ ເຢຍລະມັນ

ດຽວ Crystal Germanium Wafer ຫຼື Ingotມີ n-type, p-type ແລະ un-doped conductivity ແລະການປະຖົມນິເທດ <100> ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດສົ່ງໃນຂະຫນາດຂອງ 2, 3, 4 ແລະ 6 ເສັ້ນຜ່າສູນກາງນິ້ວ (50mm, 75mm, 100mm ແລະ 150mm) ກັບ ການສໍາເລັດຮູບຂອງ etched ຫຼື polished ໃນຊຸດຂອງກ່ອງໂຟມຫຼື cassette ສໍາລັບ wafer ແລະໃນຖົງຢາງປະທັບຕາສໍາລັບ ingot ກັບກ່ອງ carton ພາຍນອກ, polycrystalline germanium ingot ຍັງມີຢູ່ຕາມຄໍາຮ້ອງຂໍ, ຫຼືເປັນຂໍ້ກໍານົດທີ່ກໍາຫນົດເອງເພື່ອບັນລຸການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ.

ສັນຍາລັກ	Ge
ເລກປະລໍາມະນູ	32
ນ້ຳໜັກປະລໍາມະນູ	72.63
ປະເພດອົງປະກອບ	ໂລຫະປະສົມ
ກຸ່ມ, ໄລຍະເວລາ, ຕັນ	14, 4, ປ
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ເພັດ
ສີ	ສີຂາວແກມສີຂີ້ເຖົ່າ
ຈຸດລະລາຍ	937°C, 1211.40K
ຈຸດຕົ້ມ	2833°C, 3106K
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຢູ່ທີ່ 300K	5.323 ກຣາມ/ຊມ³
ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນ	46 Ω-ຊມ
ໝາຍເລກ CAS	7440-56-4
ໝາຍເລກ EC	231-164-3

ບໍ່.	ລາຍການ	ມາດຕະຖານສະເພາະ
1	ເຢຍນຽມ Wafer	2"	3"	4"	6"
2	ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	ວິທີການຂະຫຍາຍຕົວ	VGF ຫຼື CZ	VGF ຫຼື CZ	VGF ຫຼື CZ	VGF ຫຼື CZ
4	ການນໍາ	P-type / doped (Ga ຫຼື In), N-type/ doped Sb, Un-doped
5	ປະຖົມນິເທດ	(100) ± 0.5°	(100) ± 0.5°	(100) ± 0.5°	(100) ± 0.5°
6	ຄວາມຫນາ μm	145, 175, (500-1000)
7	ຄວາມຕ້ານທານ Ω-cm	0.001-50	0.001-50	0.001-50	0.001-50
8	ການເຄື່ອນຍ້າຍ cm2/Vs	> 200	> 200	> 200	> 200
9	TTV μm ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10
10	Bow μm ສູງສຸດ	15	15	15	15
11	Warp μm ສູງສຸດ	15	15	15	15
12	Dislocation cm-2 ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	300	300	300	300
13	EPD cm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	ການນັບອະນຸພາກ a/wafer ສູງສຸດ	10 (ທີ່ ≥0.5μm)	10 (ທີ່ ≥0.5μm)	10 (ທີ່ ≥0.5μm)	10 (ທີ່ ≥0.5μm)
15	ສໍາເລັດຮູບ	P/E, P/P ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
16	ການຫຸ້ມຫໍ່	ບັນຈຸ wafer ດຽວຫຼື cassette ພາຍໃນ, ກ່ອງ carton ພາຍນອກ

ບໍ່.	ລາຍການ	ມາດຕະຖານສະເພາະ
1	ເຊື້ອໄຟເຍຍລະມັນ	2"	3"	4"	6"
2	ປະເພດ	P-type / doped (Ga, In), N-type/ doped (As, Sb), Un-doped
3	ຄວາມຕ້ານທານ Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50	0.1-50
4	Carrier Lifetime μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	ຄວາມຍາວ Ingot mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	ການຫຸ້ມຫໍ່	ຜະນຶກເຂົ້າກັນໃນຖົງຢາງຫຼືກ່ອງໂຟມພາຍໃນ, ກ່ອງກ່ອງນອກ
7	ຂໍ້ສັງເກດ	Polycrystalline germanium ingot ສາມາດໃຊ້ໄດ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ

ຄຣິສຕິກເຢຍລະມັນດ່ຽວພົບເຫັນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ໂດດເດັ່ນແລະກວ້າງ, ເຊິ່ງຊັ້ນຮຽນເອເລັກໂຕຣນິກຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບ diodes ແລະ transistors, ຊັ້ນ infrared ຫຼື optical germanium ເປົ່າຫຼືປ່ອງຢ້ຽມແມ່ນສໍາລັບປ່ອງຢ້ຽມ optical IR ຫຼືແຜ່ນ, ອົງປະກອບ optical ທີ່ໃຊ້ໃນວິໄສທັດໃນຕອນກາງຄືນແລະວິທີແກ້ໄຂການຖ່າຍຮູບ thermographic ສໍາລັບຄວາມປອດໄພ, ການວັດແທກອຸນຫະພູມຫ່າງໄກສອກຫຼີກ, ອຸປະກອນການຕໍ່ສູ້ໄຟແລະອຸປະກອນການຕິດຕາມກວດກາອຸດສາຫະກໍາ, doped lightly P ແລະ N wafer Germanium wafer ຍັງສາມາດນໍາໃຊ້ສໍາລັບການທົດລອງຜົນກະທົບ Hall.Cell grade ແມ່ນສໍາລັບ substrates ທີ່ໃຊ້ໃນ III-V triple-junction solar cells ແລະສໍາລັບພະລັງງານລະບົບ PV Concentrated ຂອງ cell solar ແລະອື່ນໆ.