CZ Silicon Wafer

ລາຍລະອຽດ

CZ Single Crystal Silicon Wafer ແມ່ນຊອຍໃຫ້ບາງໆຈາກ ingot ຊິລິໂຄນໄປເຊຍກັນດຽວທີ່ດຶງໂດຍວິທີການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ Czochralski CZ, ເຊິ່ງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງທີ່ສຸດສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນຊິລິໂຄນຂອງ ingots cylindrical ຂະຫນາດໃຫຍ່ທີ່ໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກເພື່ອເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນ semiconductor.ໃນຂະບວນການນີ້, ເມັດບາງໆຂອງຊິລິໂຄນໄປເຊຍກັນທີ່ມີຄວາມທົນທານຕໍ່ການປະຖົມນິເທດທີ່ຊັດເຈນແມ່ນຖືກນໍາເຂົ້າໄປໃນອາບນ້ໍາຊິລິໂຄນທີ່ມີນ້ໍາທີ່ມີການຄວບຄຸມທີ່ຊັດເຈນ.ໄປເຊຍກັນຂອງເມັດໄດ້ຖືກດຶງຂຶ້ນຢ່າງຊ້າໆຈາກການລະລາຍໃນອັດຕາທີ່ຄວບຄຸມຫຼາຍ, ການແຂງຕົວຂອງ crystalline ຂອງປະລໍາມະນູຈາກໄລຍະຂອງແຫຼວເກີດຂື້ນໃນການໂຕ້ຕອບ, ໄປເຊຍກັນແກ່ນແລະ crucible ໄດ້ຖືກຫມຸນໄປໃນທິດທາງກົງກັນຂ້າມໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຖອນນີ້, ການສ້າງອັນດຽວຂະຫນາດໃຫຍ່. ຊິລິໂຄນໄປເຊຍກັນດ້ວຍໂຄງສ້າງຜລຶກທີ່ສົມບູນຂອງແກ່ນ.

ຂໍຂອບໃຈກັບສະຫນາມແມ່ເຫຼັກທີ່ໃຊ້ກັບມາດຕະຖານການດຶງ CZ ingot, ສະຫນາມແມ່ເຫຼັກ induced Czochralski MCZ single crystal silicon ມີຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງ impurity ຕ່ໍາ, ລະດັບອົກຊີເຈນທີ່ຕ່ໍາແລະການ dislocation, ແລະຄວາມຕ້ານທານເອກະພາບການປ່ຽນແປງທີ່ປະຕິບັດໄດ້ດີໃນອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກເຕັກໂນໂລຊີສູງແລະອຸປະກອນ. ການຜະລິດໃນອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກຫຼື photovoltaic.

ການຈັດສົ່ງ

CZ ຫຼື MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-type ແລະ p-type conductivity ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດຈັດສົ່ງໄດ້ໃນຂະຫນາດຂອງ 2, 3, 4, 6, 8 ແລະ 12 inch ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ (50, 75, 100, 125, 150.

ສອບຖາມໄດ້

ລາຍລະອຽດ

ປ້າຍກຳກັບ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer ເປັນວັດສະດຸພື້ນຖານໃນການຜະລິດຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານ, diodes, transistors, ອົງປະກອບ discrete, ນໍາໃຊ້ໃນທຸກປະເພດຂອງອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກແລະອຸປະກອນ semiconductor, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ substrate ໃນການປຸງແຕ່ງ epitaxial, SOI wafer substrate ຫຼື semi-insulating wafer fabrication ປະສົມ, ໂດຍສະເພາະຂະຫນາດໃຫຍ່. ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງ 200mm, 250mm ແລະ 300mm ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດອຸປະກອນປະສົມປະສານ ultra ສູງ.Single Crystal Silicon ຍັງຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບຈຸລັງແສງຕາເວັນໃນປະລິມານຂະຫນາດໃຫຍ່ໂດຍອຸດສາຫະກໍາ photovoltaic, ເຊິ່ງໂຄງສ້າງໄປເຊຍກັນເກືອບສົມບູນແບບໃຫ້ປະສິດທິພາບການແປງແສງເປັນໄຟຟ້າສູງສຸດ.

ບໍ່.	ລາຍການ	ມາດຕະຖານສະເພາະ
1	ຂະໜາດ	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	ການນໍາ	P ຫຼື N ຫຼື un-doped
4	ປະຖົມນິເທດ	<100>, <110>, <111>
5	ຄວາມຫນາ μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
6	ຄວາມຕ້ານທານ Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 ແລະອື່ນໆ
7	RRV ສູງສຸດ	8%, 10%, 12%
8	ຮາບພຽງ/ຍາວ ມມ	ເປັນມາດຕະຖານ SEMI ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
9	ຮາບພຽງຮອງ/ຍາວ mm	ເປັນມາດຕະຖານ SEMI ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
10	TTV μm ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	30	30	30	30	30	30
12	ສໍາເລັດຮູບ	ເປັນການຕັດ, L/L, P/E, P/P
13	ການຫຸ້ມຫໍ່	ກ່ອງໂຟມຫຼື cassette ພາຍໃນ, ກ່ອງກ່ອງນອກ.

ສັນຍາລັກ	Si
ເລກປະລໍາມະນູ	14
ນ້ຳໜັກປະລໍາມະນູ	28.09
ປະເພດອົງປະກອບ	ໂລຫະປະສົມ
ກຸ່ມ, ໄລຍະເວລາ, ຕັນ	14, 3, ປ
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ເພັດ
ສີ	ສີຂີ້ເຖົ່າເຂັ້ມ
ຈຸດລະລາຍ	1414°C, 1687.15 K
ຈຸດຕົ້ມ	3265°C, 3538.15 K
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຢູ່ທີ່ 300K	2.329 g/ຊມ³
ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນ	3.2E5 Ω-ຊມ
ໝາຍເລກ CAS	7440-21-3
ໝາຍເລກ EC	231-130-8

CZ ຫຼື MCZ Single Crystal Silicon Wafern-type ແລະ p-type conductivity ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດສົ່ງໄດ້ໃນຂະຫນາດ 2, 3, 4, 6, 8 ແລະ 12 ນິ້ວເສັ້ນຜ່າກາງ (50, 75, 100, 125, 150, 200 ແລະ 300mm), ປະຖົມນິເທດ <100>, <110>, <111> ດ້ວຍການສໍາເລັດຮູບຂອງພື້ນຜິວເປັນການຕັດ, lapped, etched ແລະ polished ໃນຊຸດຂອງກ່ອງໂຟມຫຼື cassette ກັບກ່ອງ carton ພາຍນອກ.