Gallium Antimonide GaSb

ລາຍລະອຽດ

Gallium Antimonide GaSb, ເປັນ semiconductor ຂອງກຸ່ມ III-V ທາດປະສົມທີ່ມີໂຄງສ້າງຂອງສັງກະສີປະສົມ, ຖືກສັງເຄາະໂດຍ 6N 7N ຄວາມບໍລິສຸດສູງ gallium ແລະອົງປະກອບ antimony, ແລະຂະຫຍາຍຕົວໄປໄປເຊຍກັນໂດຍວິທີການ LEC ຈາກ ingot polycrystalline frozen ທິດທາງຫຼືວິທີການ VGF ກັບ EPD<1000cm^-3.wafer GaSb ສາມາດໄດ້ຮັບການຕັດເຂົ້າໄປໃນແລະ fabricated ຫຼັງຈາກນັ້ນຈາກ ingot crystalline ດຽວທີ່ມີຄວາມເປັນເອກະພາບສູງຂອງຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າ, ໂຄງສ້າງເສັ້ນດ່າງທີ່ເປັນເອກະລັກແລະຄົງທີ່, ແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຂໍ້ບົກພ່ອງຕ່ໍາ, ດັດຊະນີ refractive ສູງກ່ວາທາດປະສົມທີ່ບໍ່ແມ່ນໂລຫະອື່ນໆ.GaSb ສາມາດຖືກປຸງແຕ່ງດ້ວຍທາງເລືອກທີ່ກວ້າງຂວາງໃນທິດທາງທີ່ແນ່ນອນຫຼື off, ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງ doped ຕ່ໍາຫຼືສູງ, ສໍາເລັດຮູບຫນ້າດິນທີ່ດີແລະສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງ epitaxial MBE ຫຼື MOCVD.Gallium Antimonide substrate ແມ່ນຖືກ ນຳ ໃຊ້ເຂົ້າໃນການ ນຳ ໃຊ້ທີ່ທັນສະ ໄໝ ທີ່ສຸດ photo-optic ແລະ optoelectronic ເຊັ່ນ: ການຜະລິດເຄື່ອງກວດຈັບພາບ, ເຄື່ອງກວດຈັບ infrared ທີ່ມີຊີວິດຍາວ, ຄວາມອ່ອນໄຫວແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ, ອົງປະກອບ photoresist, LEDs infrared ແລະ lasers, transistors, cell photovoltaic ຄວາມຮ້ອນ. ແລະລະບົບ thermo-photovoltaic.

ການຈັດສົ່ງ

Gallium Antimonide GaSb ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດໄດ້ຮັບການສະເຫນີດ້ວຍ n-type, p-type ແລະ undoped semi-insulating conductivity ໃນຂະຫນາດ 2 "3" ແລະ 4" (50mm, 75mm, 100mm) ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ, ປະຖົມນິເທດ <111> ຫຼື <100>, ແລະມີພື້ນຜິວ wafer ຂອງການສໍາເລັດຮູບເປັນການຕັດ, etched, polished ຫຼືຄຸນນະພາບສູງ epitaxy ສໍາເລັດຮູບ.ຊິ້ນສ່ວນທັງໝົດແມ່ນໄດ້ຖືກຂຽນດ້ວຍເລເຊີສະເພາະຕົວເພື່ອລະບຸຕົວຕົນ.ໃນຂະນະດຽວກັນ, ກ້ອນ polycrystalline gallium antimonide GaSb ຍັງຖືກປັບແຕ່ງຕາມການຮ້ອງຂໍການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ.

ສອບຖາມໄດ້

ລາຍລະອຽດ

ປ້າຍກຳກັບ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

Gallium Antimonide

GaSb

Gallium Antimonide GaSbsubstrate ແມ່ນຖືກນໍາໄປໃຊ້ໃນການນໍາໃຊ້ທີ່ທັນສະ ໄໝ ທີ່ສຸດ photo-optic ແລະ optoelectronic ເຊັ່ນ: ການຜະລິດເຄື່ອງກວດຈັບຮູບພາບ, ເຄື່ອງກວດຈັບອິນຟາເລດທີ່ມີອາຍຸຍືນ, ຄວາມອ່ອນໄຫວແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ, ອົງປະກອບການຕ້ານທານຕໍ່ແສງ, LEDs infrared ແລະ lasers, transistors, cell photovoltaic ຄວາມຮ້ອນແລະ thermo - ລະບົບ photovoltaic.

	ລາຍການ	ມາດຕະຖານສະເພາະ
1	ຂະໜາດ	2"	3"	4"
2	ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	ວິທີການຂະຫຍາຍຕົວ	LEC	LEC	LEC
4	ການນໍາ	P-type/Zn-doped, Un-doped, N-type/Te-doped
5	ປະຖົມນິເທດ	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	ຄວາມຫນາ μm	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
7	Orientation Flat mm	16±2	22±1	32.5±1
8	ການກໍານົດ Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	ການເຄື່ອນຍ້າຍ cm2/Vs	200-3500 ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
10	Carrier Concentration cm-3	(1-100)E17 ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
11	TTV μm ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	15	15	15
12	Bow μm ສູງສຸດ	15	15	15
13	Warp μm ສູງສຸດ	20	20	20
14	Dislocation Density cm-2 ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	500	1000	2000
15	ສໍາເລັດຮູບ	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	ການຫຸ້ມຫໍ່	ຕູ້ຄອນເທນເນີ wafer ດຽວປະທັບຕາຢູ່ໃນຖົງອາລູມິນຽມ.

ສູດເສັ້ນ	GaSb
ນ້ຳໜັກໂມເລກຸນ	191.48
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ສັງກະສີປະສົມ
ຮູບລັກສະນະ	ແກມສີຂີ້ເຖົ່າແຂງ
ຈຸດລະລາຍ	710°C
ຈຸດຕົ້ມ	ບໍ່ມີ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຢູ່ທີ່ 300K	5.61 g/ຊມ³
ຊ່ອງຫວ່າງພະລັງງານ	0.726 eV
ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນ	1E3 Ω-ຊມ
ໝາຍເລກ CAS	12064-03-8
ໝາຍເລກ EC	235-058-8

Gallium Antimonide GaSbທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດໄດ້ຮັບການສະເຫນີດ້ວຍ n-type, p-type ແລະ undoped semi-insulating conductivity ໃນຂະຫນາດຂອງ 2 "3" ແລະ 4" (50mm, 75mm, 100mm) ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ, ປະຖົມນິເທດ <111> ຫຼື <100. >, ແລະມີຫນ້າດິນ wafer ຂອງການຕັດ, etched, polished ຫຼືຄຸນນະພາບສູງ epitaxy ສໍາເລັດຮູບພ້ອມ.ຊິ້ນສ່ວນທັງໝົດແມ່ນໄດ້ຖືກຂຽນດ້ວຍເລເຊີສະເພາະຕົວເພື່ອລະບຸຕົວຕົນ.ໃນຂະນະດຽວກັນ, ກ້ອນ polycrystalline gallium antimonide GaSb ຍັງຖືກປັບແຕ່ງຕາມການຮ້ອງຂໍການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ.