FZ Silicon Wafer

ລາຍລະອຽດ

FZ Single Crystal Silicon Wafer,Float-zone (FZ) ຊິລິໂຄນແມ່ນຊິລິໂຄນບໍລິສຸດທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນຂອງອົກຊີເຈນທີ່ຕໍ່າຫຼາຍແລະສານສະກັດຈາກຄາບອນທີ່ຖືກດຶງໂດຍເຕັກໂນໂລຢີການກັ່ນເຂດເລື່ອນຕາມແນວຕັ້ງ.FZ Floating zone ແມ່ນວິທີການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ crystal ingot ດຽວທີ່ແຕກຕ່າງຈາກວິທີການ CZ ທີ່ຢູ່ ແກນເມັດຖືກຕິດຢູ່ພາຍໃຕ້ polycrystalline silicon ingot, ແລະຊາຍແດນລະຫວ່າງເມັດເມັດແລະ polycrystalline crystal silicon ແມ່ນ melted ໂດຍ RF coil induction heating ສໍາລັບການ crystallization ດຽວ.ທໍ່ RF ແລະເຂດ melted ຍ້າຍຂຶ້ນ, ແລະໄປເຊຍກັນດຽວແຂງຢູ່ດ້ານເທິງຂອງໄປເຊຍກັນແກ່ນຕາມຄວາມເຫມາະສົມ.ຊິລິໂຄນເຂດລອຍໄດ້ຖືກຮັບປະກັນດ້ວຍການແຜ່ກະຈາຍ dopant ເປັນເອກະພາບ, ການປ່ຽນແປງຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາ, ຈໍາກັດປະລິມານຂອງ impurities, ໄລຍະເວລາຊີວິດຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຫຼາຍ, ເປົ້າຫມາຍຄວາມຕ້ານທານສູງແລະຊິລິໂຄນບໍລິສຸດສູງ.ຊິລິໂຄນເຂດລອຍເປັນທາງເລືອກທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງຕໍ່ໄປເຊຍກັນທີ່ປູກໂດຍຂະບວນການ Czochralski CZ.ດ້ວຍຄຸນລັກສະນະຂອງວິທີການນີ້, FZ Single Crystal Silicon ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນການຜະລິດອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ, ເຊັ່ນ: diodes, thyristors, IGBTs, MEMS, diode, ອຸປະກອນ RF ແລະພະລັງງານ MOSFETs, ຫຼືເປັນ substrate ສໍາລັບ particle ຄວາມລະອຽດສູງຫຼືເຄື່ອງກວດຈັບ optical. , ອຸປະກອນພະລັງງານແລະເຊັນເຊີ, ຈຸລັງແສງຕາເວັນປະສິດທິພາບສູງແລະອື່ນໆ.

ການຈັດສົ່ງ

FZ Single Crystal Silicon Wafer N-type ແລະ P-type conductivity ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດສົ່ງໄດ້ໃນຂະຫນາດ 2, 3, 4, 6 ແລະ 8 ນິ້ວ (50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm ແລະ 200mm) ແລະ ປະຖົມນິເທດ <100>, <110>, <111> ດ້ວຍການສໍາເລັດຮູບພື້ນຜິວຂອງ As-cut, Lapped, etched ແລະ polished ໃນຊຸດຂອງກ່ອງໂຟມຫຼື cassette ກັບກ່ອງ carton ພາຍນອກ.