Sapphire Al2O3 Wafer & Ingot Featured Image

Sapphire Al₂O₃Wafer & Ingot

ລາຍລະອຽດ

Sapphire Single Crystal Wafer & Ingotor ອະລູມີນຽມ Oxide Al₂O₃99.999% min, ເຊິ່ງເອີ້ນກັນວ່າຫີນສີຂາວ, ໂຄງສ້າງ hexagonal anisotropic, ເປັນວັດສະດຸອະເນກປະສົງທີ່ດີເລີດທີ່ມີຄຸນສົມບັດ optical ເປັນເອກະລັກ, ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະສານເຄມີ, ມີຄວາມແຂງຂອງຫນ້າດິນ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄົງທີ່ dielectric ສູງ, ຄວາມໂປ່ງໃສທີ່ດີເລີດແລະດີ. ສະຖຽນລະພາບທາງເຄມີທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານກັບອາຊິດເຄມີທົ່ວໄປແລະເປັນດ່າງ.ໄພລິນ Crystal ດຽວຫຼືອາລູມິນຽມ Oxide ໄປເຊຍກັນດຽວ Al₂O₃ຄວາມບໍລິສຸດ 99.999% ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດຈັດສົ່ງໄດ້ໃນຂະຫນາດຂອງເສັ້ນຜ່າກາງ 2″, 4″ ແລະ 6″ (50mm, 100mm, 150mm) wafer ແລະ ingot, ມີພື້ນຜິວສໍາເລັດຮູບໃນຂະບວນການ etched, polished ຫຼື epi-ກຽມພ້ອມ.ໃດໆທີ່ກໍາຫນົດເອງຂໍ້ກໍານົດແລະຂະຫນາດແມ່ນການແກ້ໄຂ prefect ກັບລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາໃນທົ່ວໂລກ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ເນື່ອງຈາກຄວາມແຂງແຮງຂອງໂຄງສ້າງຂອງໄປເຊຍກັນທີ່ແຂງທີ່ສຸດເປັນອັນດັບສອງຖັດຈາກເພັດ, Sapphire ໄປເຊຍກັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດຊັ້ນໃຕ້ຂອງໄປເຊຍກັນດຽວ, ວັດສະດຸຊັ້ນນໍາຂອງຮູບເງົາ superconducting, ສີຟ້າ, ສີມ່ວງແລະສີຂາວ diodes emitting diodes ແສງສະຫວ່າງ, ປ່ອງຢ້ຽມ infrared ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະເປັນ. ເລເຊີສີຟ້າ LD ອຸດສາຫະ ກຳ ຍ່ອຍທີ່ມັກ.Single Crystal Sapphire ຫຼືໄປເຊຍກັນອາລູມິນຽມອອກໄຊດຽວ Al2O3 ມີປະໂຫຍດໃນລະດັບການສົ່ງຕໍ່ຈາກ 0.2-5.5 μmເຊັ່ນດຽວກັນກັບອຸດສາຫະກໍາການຜະລິດ semiconductors ພະລັງງານກ້າວຫນ້າທາງດ້ານອື່ນໆ.

ສອບຖາມດຽວນີ້

ລາຍລະອຽດ

ປ້າຍກຳກັບ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

Sapphire Crystal Al₂O₃

Sapphire Crystal, ດ້ວຍຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງໂຄງສ້າງຂອງໄປເຊຍກັນທີ່ແຂງທີ່ສຸດທີ່ສອງຕໍ່ຈາກເພັດ, ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນໄປເຊຍກັນ, ວັດສະດຸຊັ້ນນໍາຂອງຮູບເງົາ superconducting, ສີຟ້າ, ສີມ່ວງແລະສີຂາວ diodes emitting diodes ແສງສະຫວ່າງ, ປ່ອງຢ້ຽມ infrared ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະ laser ສີຟ້າ. LD ອຸດສາຫະກໍາທີ່ຕ້ອງການ substrate.Single Crystal Sapphire ຫຼືໄປເຊຍກັນອາລູມິນຽມອອກໄຊດຽວ Al2O3 ມີປະໂຫຍດໃນລະດັບການສົ່ງຕໍ່ຈາກ 0.2-5.5 μmເຊັ່ນດຽວກັນກັບອຸດສາຫະກໍາການຜະລິດ semiconductors ພະລັງງານກ້າວຫນ້າທາງດ້ານອື່ນໆ.

ບໍ່.	ລາຍການ	ມາດຕະຖານສະເພາະ
1	ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ mm	50.8±0.05	100±0.1	150±0.2
2	ວິທີການຂະຫຍາຍຕົວ	ເຮມ	ເຮມ	ເຮມ
3	ປະຖົມນິເທດ	(CA) ຫຼື (CM)	(CA) ຫຼື (CM)	(CA) ຫຼື (CM)
4	ສະຖານທີ່ຮາບພຽງຕົ້ນຕໍ	A-axis ±0.2°	A-axis ±0.2°	A-axis ±0.2°
5	ຄວາມຍາວຮາບພຽງຕົ້ນຕໍ mm	16±0.5	30±0.5	47.5±0.5
6	ຄວາມຫນາ μm	430±10	650±20	1300±20
7	TTV μm ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	5	10	15
8	Bow μm ສູງສຸດ	5	10	15
9	Warp μm ສູງສຸດ	8	15	30
10	ສໍາເລັດຮູບ	P/E	P/E	P/E
11	ຄວາມຫຍາບຂອງພື້ນຜິວ nm	<0.2 (epi-ພ້ອມ, ສໍາລັບພື້ນຜິວຂັດ)
12	ການຫຸ້ມຫໍ່	ໃນຖົງສູນຍາກາດເຕັມໄປດ້ວຍບັນຍາກາດໄນໂຕຣເຈນ
13	ຂໍ້ສັງເກດ	Ingot ແລະຂະຫນາດໃຫຍ່ເຖິງ 8" ສາມາດໃຊ້ໄດ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ.

ສູດເສັ້ນ	Al₂O₃
ນ້ຳໜັກໂມເລກຸນ	101.96
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ຫົກຫຼ່ຽມ
ຮູບລັກສະນະ	Translucent ແຂງ
ຈຸດລະລາຍ	2050°C, 3720°F
ຈຸດຕົ້ມ	2977°C, 5391°F
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຢູ່ທີ່ 300K	4.0 g/ຊມ³
ຊ່ອງຫວ່າງພະລັງງານ	ບໍ່ມີ
ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນ	1E16 Ω-ຊມ
ໝາຍເລກ CAS	1344-28-1
ໝາຍເລກ EC	ບໍ່ມີ

Sapphire ດຽວ Crystalຫຼືອະລູມິນຽມອອກໄຊໄປເຊຍກັນອັນດຽວ₂O₃ຄວາມບໍລິສຸດ 99.999% ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດຈັດສົ່ງໄດ້ໃນຂະຫນາດຂອງເສັ້ນຜ່າກາງ 2″, 4″ ແລະ 6″ (50mm, 100mm, 150mm) wafer ແລະ ingot, ມີພື້ນຜິວສໍາເລັດຮູບໃນຂະບວນການ etched, polished ຫຼື epi-ກຽມພ້ອມ.ໃດໆທີ່ກໍາຫນົດເອງຂໍ້ກໍານົດແລະຂະຫນາດແມ່ນການແກ້ໄຂ prefect ກັບລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາໃນທົ່ວໂລກ.