Gallium Phosphide GaP

ລາຍລະອຽດ

Gallium Phosphide GaP, ເປັນ semiconductor ທີ່ສໍາຄັນຂອງຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າທີ່ເປັນເອກະລັກເປັນວັດສະດຸປະສົມ III-V ອື່ນໆ, crystallizes ໃນໂຄງສ້າງ cubic ZB ຄົງທີ່ thermodynamically, ເປັນວັດສະດຸ crystal semitransparent ສີສົ້ມສີເຫຼືອງທີ່ມີຊ່ອງຫວ່າງທາງອ້ອມຂອງ 2.26 eV (300K), ເຊິ່ງແມ່ນ. ສັງເຄາະຈາກ 6N 7N ຄວາມບໍລິສຸດສູງ gallium ແລະ phosphorus, ແລະປູກເປັນໄປເຊຍກັນດຽວໂດຍ Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Gallium Phosphide ໄປເຊຍກັນແມ່ນ doped sulfur ຫຼື tellurium ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບ n-type semiconductor, ແລະສັງກະສີ doped ເປັນ p-type conductivity ສໍາລັບ fabricating ເພີ່ມເຕີມເຂົ້າໄປໃນ wafer ທີ່ຕ້ອງການ, ທີ່ມີຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນລະບົບ optical, ອຸປະກອນ optoelectronics ແລະເອເລັກໂຕຣນິກອື່ນໆ.wafer Crystal GaP ດຽວສາມາດກະກຽມ Epi-Ready ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ LPE, MOCVD ແລະ MBE epitaxial ຂອງທ່ານ.Gallium phosphide Gallium phosphide GaP wafer p-type, ປະເພດ n-type ຫຼື undoped conductivity ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດໄດ້ຮັບການສະເຫນີໃນຂະຫນາດຂອງ 2″ ແລະ 3” (50mm, ເສັ້ນຜ່າກາງ 75mm), ປະຖົມນິເທດ <100>,<111 > ດ້ວຍການສໍາເລັດຮູບຂອງຫນ້າດິນເປັນການຕັດ, ຂັດຫຼືຂະບວນການກຽມພ້ອມ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ດ້ວຍກະແສໄຟຟ້າຕ່ໍາແລະປະສິດທິພາບສູງໃນການປ່ອຍແສງສະຫວ່າງ, Gallium phosphide GaP wafer ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບລະບົບການສະແດງ optical ເປັນ diodes ແສງສະຫວ່າງສີແດງ, ສີສົ້ມ, ແລະສີຂຽວ (LEDs) ແລະ backlight ຂອງສີເຫຼືອງແລະສີຂຽວ LCD ແລະອື່ນໆແລະການຜະລິດຊິບ LED ກັບ. ຄວາມສະຫວ່າງຕ່ໍາຫາປານກາງ, GaP ຍັງຖືກຮັບຮອງເອົາຢ່າງກວ້າງຂວາງເປັນ substrate ພື້ນຖານສໍາລັບເຊັນເຊີ infrared ແລະການຜະລິດກ້ອງຖ່າຍຮູບຕິດຕາມກວດກາ.

ສອບຖາມໄດ້

ລາຍລະອຽດ

ປ້າຍກຳກັບ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

Gallium Phosphide GaP

Gallium Phosphide GaP wafer ແກ້ວດຽວທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງຫຼື substrate p-type, n-type ຫຼື undoped conductivity ຢູ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດໄດ້ຮັບການສະເຫນີໃນຂະຫນາດຂອງ 2″ ແລະ 3” (50mm, 75mm) ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ, ປະຖົມນິເທດ <100> .

ບໍ່.	ລາຍການ	ມາດຕະຖານສະເພາະ
1	ຂະໜາດ GaP	2"
2	ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ mm	50.8 ± 0.5
3	ວິທີການຂະຫຍາຍຕົວ	LEC
4	ປະເພດການນໍາ	P-type/Zn-doped, N-type/(S, Si, Te)-doped, Un-doped
5	ປະຖົມນິເທດ	<1 1 1> ± 0.5°
6	ຄວາມຫນາ μm	(300-400) ± 20
7	ຄວາມຕ້ານທານ Ω-cm	0.003-0.3
8	Orientation Flat (OF) mm	16±1
9	Identification Flat (IF) mm	8±1
10	Hall Mobility cm2/Vs ນທ	100
11	Carrier Concentration cm^-3	(2-20) E17
12	Dislocation ຄວາມຫນາແຫນ້ນ cm^-2ສູງສຸດ	2.00E+05
13	ສໍາເລັດຮູບ	P/E, P/P
14	ການຫຸ້ມຫໍ່	ຕູ້ຄອນເທນເນີ wafer ດຽວປະທັບຕາຢູ່ໃນຖົງປະສົມອາລູມິນຽມ, ກ່ອງກ່ອງນອກ

ສູດເສັ້ນ	GaP
ນ້ຳໜັກໂມເລກຸນ	100.7
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ສັງກະສີປະສົມ
ລັກສະນະ	ສີສົ້ມແຂງ
ຈຸດລະລາຍ	ບໍ່ມີ
ຈຸດຕົ້ມ	ບໍ່ມີ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຢູ່ທີ່ 300K	4.14 g/ຊມ³
ຊ່ອງຫວ່າງພະລັງງານ	2.26 eV
ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນ	ບໍ່ມີ
ໝາຍເລກ CAS	12063-98-8
ໝາຍເລກ EC	235-057-2

Gallium Phosphide GaP Wafer, ມີກະແສໄຟຟ້າຕ່ໍາແລະປະສິດທິພາບສູງໃນການປ່ອຍແສງສະຫວ່າງ, ເຫມາະສໍາລັບລະບົບການສະແດງ optical ເປັນ diodes ສີແດງ, ສີສົ້ມ, ແລະສີຂຽວທີ່ມີລາຄາຖືກ (LEDs) ແລະ backlight ຂອງສີເຫຼືອງແລະສີຂຽວ LCD ແລະອື່ນໆແລະການຜະລິດຊິບ LED ທີ່ມີຕ່ໍາເຖິງຂະຫນາດກາງ. ຄວາມສະຫວ່າງ, GaP ຍັງຖືກຮັບຮອງເອົາຢ່າງກວ້າງຂວາງເປັນ substrate ພື້ນຖານສໍາລັບເຊັນເຊີ infrared ແລະການຜະລິດກ້ອງຖ່າຍຮູບຕິດຕາມກວດກາ.