FZ NTD Silicon Wafer

ລາຍລະອຽດ

FZ-NTD Silicon Wafer, ເປັນທີ່ຮູ້ຈັກເປັນ Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer.ບໍ່ມີອົກຊີເຈນ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະຄວາມຕ້ານທານສູງສຸດຂອງຊິລິໂຄນສາມາດໄດ້ຮັບ by Float-zone FZ (zone-Floating) ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກ, High resistivity FZ silicon crystal ມັກຈະ doped ໂດຍ Neutron Transmutation Doping (NTD) ຂະບວນການ, ໃນທີ່ neutron irradiation ສຸດ float zone silicon undoped ເພື່ອເຮັດໃຫ້ isotopes silicon trapped ກັບ neutrons ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນທໍາລາຍເຂົ້າໄປໃນ dopants ທີ່ຕ້ອງການເພື່ອບັນລຸເປົ້າຫມາຍ doping.ໂດຍຜ່ານການປັບລະດັບຂອງ radiation neutron, ຄວາມຕ້ານທານສາມາດມີການປ່ຽນແປງໂດຍບໍ່ມີການແນະນໍາ dopants ພາຍນອກແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງຮັບປະກັນຄວາມບໍລິສຸດຂອງວັດສະດຸ.FZ NTD silicon wafers (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) ມີຄຸນສົມບັດດ້ານວິຊາການຊັ້ນນໍາຂອງຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງ doping ເອກະພາບແລະການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຕ້ານທານ radial ເປັນເອກະພາບ, ລະດັບ impurity ຕ່ໍາສຸດ,ແລະຜູ້ບັນທຸກສ່ວນນ້ອຍທີ່ມີຊີວິດສູງອາຍຸ.

ການຈັດສົ່ງ

ໃນຖານະເປັນຜູ້ຜະລິດຊັ້ນນໍາຂອງຕະຫຼາດຂອງ NTD ຊິລິໂຄນສໍາລັບການນໍາໃຊ້ພະລັງງານທີ່ໂດດເດັ່ນ, ແລະປະຕິບັດຕາມຄວາມຕ້ອງການທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນສໍາລັບ wafers ລະດັບຄຸນະພາບສູງສຸດ, FZ NTD silicon wafer ດີກວ່າ.ຢູ່ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດໄດ້ຮັບການສະເຫນີໃຫ້ລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາໃນທົ່ວໂລກໃນຂະຫນາດຕ່າງໆຕັ້ງແຕ່ 2″, 3″, 4″, 5″ ແລະ 6″ ເສັ້ນຜ່າກາງ (50mm, 75mm, 100mm, 125mm ແລະ 150mm) ແລະລະດັບຄວາມຕ້ານທານກ້ວາງ. 5 ຫາ 2000 ohm.cm ໃນ <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> ທິດທາງທີ່ມີການຕັດ, lapped, etched ແລະ polished ດ້ານໃນຊຸດຂອງກ່ອງໂຟມຫຼື cassette. , ຫຼືເປັນຂໍ້ກໍານົດທີ່ກໍາຫນົດເອງກັບການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ.

ສອບຖາມໄດ້

ລາຍລະອຽດ

ປ້າຍກຳກັບ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

FZ NTD Silicon Wafer

ໃນຖານະທີ່ເປັນຜູ້ສະຫນອງຕະຫຼາດຊັ້ນນໍາຂອງ FZ NTD silicon ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ພະລັງງານທີ່ມີທ່າແຮງ, ແລະປະຕິບັດຕາມຄວາມຕ້ອງການທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນສໍາລັບ wafers ລະດັບຄຸນນະພາບສູງສຸດ, ຊັ້ນນໍາຂອງ FZ NTD silicon wafer ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດສະເຫນີໃຫ້ລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາທົ່ວໂລກໃນຂະຫນາດຕ່າງໆຕັ້ງແຕ່ 2. ″ ຫາ 6″ ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ (50, 75, 100, 125 ແລະ 150mm) ແລະລະດັບຄວາມຕ້ານທານກວ້າງ 5 ຫາ 2000 ohm-cm ໃນ <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> ປະຖົມນິເທດກັບ lapped, etched ແລະ polished ດ້ານສໍາເລັດຮູບໃນຊຸດຂອງກ່ອງໂຟມຫຼື cassette, ກ່ອງ carton ພາຍນອກຫຼືເປັນກໍາຫນົດເອງກັບການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ.

ບໍ່.	ລາຍການ	ມາດຕະຖານສະເພາະ
1	ຂະໜາດ	2"	3"	4"	5"	6"
2	ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	125±0.5	150±0.5
3	ການນໍາ	n ປະເພດ	n ປະເພດ	n ປະເພດ	n ປະເພດ	n ປະເພດ
4	ປະຖົມນິເທດ	<100>, <111>, <110>
5	ຄວາມຫນາ μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
6	ຄວາມຕ້ານທານ Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
7	RRV ສູງສຸດ	8%, 10%, 12%
8	TTV μm ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	10	10	10	10	10
9	Bow/Warp μm ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	30	30	30	30	30
10	Carrier Lifetime μs	>200,>300,>400 ຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ
11	ສໍາເລັດຮູບ	ເປັນການຕັດ, Lapped, Polished
12	ການຫຸ້ມຫໍ່	ກ່ອງໂຟມພາຍໃນ, ກ່ອງກ່ອງນອກ.

ພາລາມິເຕີວັດສະດຸພື້ນຖານ

ສັນຍາລັກ	Si
ເລກປະລໍາມະນູ	14
ນ້ຳໜັກປະລໍາມະນູ	28.09
ປະເພດອົງປະກອບ	ໂລຫະປະສົມ
ກຸ່ມ, ໄລຍະເວລາ, ຕັນ	14, 3, ປ
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ເພັດ
ສີ	ສີຂີ້ເຖົ່າເຂັ້ມ
ຈຸດລະລາຍ	1414°C, 1687.15 K
ຈຸດຕົ້ມ	3265°C, 3538.15 K
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຢູ່ທີ່ 300K	2.329 g/ຊມ³
ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນ	3.2E5 Ω-ຊມ
ໝາຍເລກ CAS	7440-21-3
ໝາຍເລກ EC	231-130-8

FZ-NTD Silicon Waferເປັນສິ່ງສໍາຄັນທີ່ສຸດສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນພະລັງງານສູງ, ເຕັກໂນໂລຊີເຄື່ອງກວດຈັບແລະໃນອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ຈະເຮັດວຽກຢູ່ໃນສະພາບທີ່ຮ້າຍໄປຫຼືບ່ອນທີ່ມີການປ່ຽນແປງຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາໃນທົ່ວ wafer ໄດ້, ເຊັ່ນ: gate-turn-off thyristor GTO, static induction thyristor SITH, giant. transistor GTR, insulate-gate transistor bipolar IGBT, ພິເສດ HV diode PIN.FZ NTD n-type silicon wafer ຍັງເປັນອຸປະກອນການທໍາງານຕົ້ນຕໍສໍາລັບຕົວແປງຄວາມຖີ່ຕ່າງໆ, ເຄື່ອງ rectifiers, ອົງປະກອບຄວບຄຸມພະລັງງານຂະຫນາດໃຫຍ່, ອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານໃຫມ່, ອຸປະກອນ photoelectronic, silicon rectifier SR, ການຄວບຄຸມ silicon SCR, ແລະອົງປະກອບ optical ເຊັ່ນ: ທັດສະນະແລະປ່ອງຢ້ຽມ. ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ terahertz.