Epitaxial (EPI) Silicon Wafer

ລາຍລະອຽດ

Epitaxial Silicon Waferຫຼື EPI Silicon Wafer, ແມ່ນ wafer ຂອງຊັ້ນໄປເຊຍກັນ semiconducting ຝາກລົງໄປເຊຍກັນຂັດຂອງ substrate ຊິລິໂຄນໂດຍການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial.ຊັ້ນ epitaxial ອາດຈະເປັນວັດສະດຸດຽວກັນກັບ substrate ໂດຍການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ທີ່ເປັນ homogeneous, ຫຼືຊັ້ນ exotic ທີ່ມີຄຸນນະພາບທີ່ຕ້ອງການສະເພາະໂດຍການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial heterogeneous, ເຊິ່ງຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຢີການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ epitaxial ປະກອບມີການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ CVD, ໄລຍະຂອງແຫຼວ epitaxy LPE, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ beam ໂມເລກຸນ. epitaxy MBE ເພື່ອບັນລຸຄຸນນະພາບສູງສຸດຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຂໍ້ບົກພ່ອງຕ່ໍາແລະຄວາມ roughness ດ້ານດີ.Silicon Epitaxial Wafers ຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ກ້າວຫນ້າ, ອົງປະກອບ semiconductor ປະສົມປະສານສູງ ICs, discrete ແລະອຸປະກອນພະລັງງານ, ຍັງນໍາໃຊ້ສໍາລັບອົງປະກອບຂອງ diode ແລະ transistor ຫຼື substrate ສໍາລັບ IC ເຊັ່ນ: ປະເພດ bipolar, MOS ແລະອຸປະກອນ BiCMOS.ນອກຈາກນັ້ນ, ຫຼາຍຊັ້ນ epitaxial ແລະຮູບເງົາຫນາ EPI wafers ຊິລິຄອນມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນ microelectronics, photonics ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ photovoltaics.

ການຈັດສົ່ງ

Epitaxial Silicon Wafers ຫຼື EPI Silicon Wafer ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດໄດ້ຮັບການສະເຫນີໃນຂະຫນາດຂອງ 4, 5 ແລະ 6 ນິ້ວ (100mm, 125mm, ເສັ້ນຜ່າກາງ 150mm), ມີການປະຖົມນິເທດ <100>, <111>, epilayer resistivity ຂອງ <1ohm -cm ຫຼືສູງເຖິງ 150ohm-cm, ແລະຄວາມຫນາຂອງ epilayer ຂອງ <1um ຫຼືເຖິງ 150um, ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຕ່າງໆໃນດ້ານການສໍາເລັດຮູບຂອງ etched ຫຼື LTO ການປິ່ນປົວ, packed ໃນ cassette ກັບກ່ອງ carton ພາຍນອກ, ຫຼືເປັນກໍາຫນົດເອງກັບການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ. .

ສອບຖາມດຽວນີ້

ລາຍລະອຽດ

ປ້າຍກຳກັບ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

Epi Silicon Wafer

Epitaxial Silicon Wafersຫຼື EPI Silicon Wafer ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ສາມາດໄດ້ຮັບການສະເຫນີໃນຂະຫນາດຂອງ 4, 5 ແລະ 6 ນິ້ວ (100mm, 125mm, ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ 150mm), ມີການປະຖົມນິເທດ <100>, <111>, epilayer resistivity ຂອງ <1ohm-cm ຫຼື ເຖິງ 150ohm-cm, ແລະຄວາມຫນາຂອງ epilayer ຂອງ <1um ຫຼືເຖິງ 150um, ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຕ່າງໆໃນດ້ານການສໍາເລັດຮູບຂອງ etched ຫຼື LTO ການປິ່ນປົວ, packed ໃນ cassette ກັບກ່ອງ carton ພາຍນອກ, ຫຼືເປັນກໍາຫນົດເອງກັບການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ.

ສັນຍາລັກ	Si
ເລກປະລໍາມະນູ	14
ນ້ຳໜັກປະລໍາມະນູ	28.09
ປະເພດອົງປະກອບ	ໂລຫະປະສົມ
ກຸ່ມ, ໄລຍະເວລາ, ຕັນ	14, 3, ປ
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ເພັດ
ສີ	ສີຂີ້ເຖົ່າເຂັ້ມ
ຈຸດລະລາຍ	1414°C, 1687.15 K
ຈຸດຕົ້ມ	3265°C, 3538.15 K
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຢູ່ທີ່ 300K	2.329 g/ຊມ³
ຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນ	3.2E5 Ω-ຊມ
ໝາຍເລກ CAS	7440-21-3
ໝາຍເລກ EC	231-130-8

ບໍ່.	ລາຍການ	ມາດຕະຖານສະເພາະ
1	ລັກສະນະທົ່ວໄປ
1-1	ຂະໜາດ	4"	5"	6"
1-2	ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ mm	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	ປະຖົມນິເທດ	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	ລັກສະນະຂອງຊັ້ນ Epitaxial
2-1	ວິທີການຂະຫຍາຍຕົວ	CVD	CVD	CVD
2-2	ປະເພດການນໍາ	P ຫຼື P+, N/ ຫຼື N+	P ຫຼື P+, N/ ຫຼື N+	P ຫຼື P+, N/ ຫຼື N+
2-3	ຄວາມຫນາ μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	ຄວາມຫນາແຫນ້ນເປັນເອກະພາບ	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	ຄວາມຕ້ານທານ Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	ເອກະພາບຕ້ານທານ	≤3%	≤5%	-
2-7	Dislocation cm-2	<10	<10	<10
2-8	ຄຸນະພາບພື້ນຜິວ	ບໍ່ມີ chip, haze ຫຼື peel ສີສົ້ມຍັງຄົງ, ແລະອື່ນໆ.
3	ຈັດການລັກສະນະຍ່ອຍ
3-1	ວິທີການຂະຫຍາຍຕົວ	CZ	CZ	CZ
3-2	ປະເພດການນໍາ	P/N	P/N	P/N
3-3	ຄວາມຫນາ μm	525-675	525-675	525-675
3-4	ຄວາມຫນາຂອງຄວາມເປັນເອກະພາບສູງສຸດ	3%	3%	3%
3-5	ຄວາມຕ້ານທານ Ω-cm	ຕາມຄວາມຕ້ອງການ	ຕາມຄວາມຕ້ອງການ	ຕາມຄວາມຕ້ອງການ
3-6	ເອກະພາບຕ້ານທານ	5%	5%	5%
3-7	TTV μm ສູງສຸດທີ່ເຄຍ	10	10	10
3-8	Bow μm ສູງສຸດ	30	30	30
3-9	Warp μm ສູງສຸດ	30	30	30
3-10	EPD cm-2 ສູງສຸດ	100	100	100
3-11	ໂປຣໄຟລ໌ຂອບ	ມົນ	ມົນ	ມົນ
3-12	ຄຸນະພາບພື້ນຜິວ	ບໍ່ມີ chip, haze ຫຼື peel ສີສົ້ມຍັງຄົງ, ແລະອື່ນໆ.
3-13	Back Side Finish	Etched ຫຼື LTO (5000±500Å)
4	ການຫຸ້ມຫໍ່	Cassette ພາຍໃນ, ກ່ອງ carton ນອກ.

Silicon Epitaxial Wafersຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນການຜະລິດອຸປະກອນ semiconductor ກ້າວຫນ້າ, ອົງປະກອບ semiconductor ປະສົມປະສານສູງ ICs, discrete ແລະພະລັງງານອຸປະກອນ, ຍັງນໍາໃຊ້ສໍາລັບອົງປະກອບຂອງ diode ແລະ transistor ຫຼື substrate ສໍາລັບ IC ເຊັ່ນ: ປະເພດ bipolar, ອຸປະກອນ MOS ແລະ BiCMOS.ນອກຈາກນັ້ນ, ຫຼາຍຊັ້ນ epitaxial ແລະຮູບເງົາຫນາ EPI wafers ຊິລິຄອນມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ໃນ microelectronics, photonics ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ photovoltaics.