Antimony Telluride Sb2Te3 | Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3 3N 4N 5N Featured Image

Antimony Telluride Sb₂Te₃|ອັນ₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

ລາຍລະອຽດ

Antimony TellurideSb₂Te₃, ເປັນ semiconductor ປະສົມຂອງກຸ່ມ VA, ອົງປະກອບ VIA ໃນຕາຕະລາງໄລຍະເວລາ.ມີໂຄງສ້າງ hexagonal-Rhombohedral, ຄວາມຫນາແຫນ້ນ 6.5g / cm³, ຈຸດລະລາຍ 620^oC, band gap 0.23eV, CAS 1327-50-0, MW 626.32, ມັນລະລາຍໃນອາຊິດ nitric ແລະບໍ່ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບອາຊິດ, insoluble ໃນນ້ໍາ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງການບໍ່ຕິດໄຟ.Antimony Telluride ເປັນຂອງກຸ່ມ-15 metalloid trichalcogenides, Sb₂Te₃ໄປເຊຍກັນມີຂະຫນາດຂ້າງຄຽງປົກກະຕິ, ຮູບສີ່ຫລ່ຽມແລະລັກສະນະໂລຫະ, ຊັ້ນແມ່ນ stacked ຮ່ວມກັນໂດຍຜ່ານການໂຕ້ຕອບ van der Waals ແລະສາມາດ exfoliated ເປັນຊັ້ນ 2D ບາງໆ.ການກະກຽມໂດຍວິທີການ Bridgman, Antimony Telluride ເປັນ semiconductor, insulator topological ແລະອຸປະກອນການ thermoelectric, ວັດສະດຸຈຸລັງແສງຕາເວັນ, evaporation ສູນຍາກາດ.ໃນຂະນະດຽວກັນ, Sb2Te3ເປັນວັດສະດຸພື້ນຖານທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາການປ່ຽນແປງໄລຍະປະສິດທິພາບສູງຫຼືຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການເກັບຮັກສາຂໍ້ມູນ optical.ທາດປະສົມ Telluride ຊອກຫາຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຈໍານວນຫຼາຍເປັນວັດສະດຸ electrolyte, semiconductor dopant, ຈໍສະແດງຜົນ QLED, ພາກສະຫນາມ IC ແລະອື່ນໆແລະຂົງເຂດອຸປະກອນການອື່ນໆ.

ການຈັດສົ່ງ

Antimony Telluride Sb₂Te₃ແລະອາລູມິນຽມ Telluride Al₂Te₃, Arsenic Telluride As₂Te₃, Bismuth Telluride Bi₂Te₃, Gallium Telluride Ga₂Te₃ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດ 4N 99.99% ແລະ 5N 99.999% ແມ່ນມີຢູ່ໃນຮູບແບບຂອງຜົງ -60mesh, -80mesh, granule 1-6mm, ກ້ອນ 1-20mm, chunk, bulk crystal, rod ແລະ substrate ແລະອື່ນໆຫຼືຕາມຄວາມຕ້ອງການ ຂໍ້ກໍາຫນົດເພື່ອບັນລຸການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ.

ສອບຖາມໄດ້

ລາຍລະອຽດ

ປ້າຍກຳກັບ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ທາດປະສົມ Telluride

ທາດປະສົມ Tellurideອ້າງເຖິງອົງປະກອບຂອງໂລຫະແລະທາດປະສົມ metalloid, ທີ່ມີອົງປະກອບ stoichiometric ມີການປ່ຽນແປງພາຍໃນຂອບເຂດສະເພາະໃດຫນຶ່ງເພື່ອປະກອບເປັນສານປະກອບທີ່ແຂງ.ທາດປະສົມລະຫວ່າງໂລຫະແມ່ນຄຸນສົມບັດທີ່ດີເລີດລະຫວ່າງໂລຫະແລະເຊລາມິກ, ແລະກາຍເປັນສາຂາທີ່ສໍາຄັນຂອງວັດສະດຸໂຄງສ້າງໃຫມ່.ທາດປະສົມ Telluride ຂອງ Antimony Telluride Sb₂Te₃, ອະລູມິນຽມ Telluride Al₂Te₃, Arsenic Telluride As₂Te₃, Bismuth Telluride Bi₂Te₃, Cadmium Telluride CdTe, Cadmium Zinc Telluride CdZnTe, Cadmium Manganese Telluride CdMnTe ຫຼື CMT, Copper Telluride Cu₂Te, Gallium Telluride Ga₂Te₃, Germanium Telluride GeTe, Indium Telluride InTe, Lead Telluride PbTe, Molybdenum Telluride MoTe₂, Tungsten Telluride WT₂ແລະທາດປະສົມຂອງມັນ (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) ແລະທາດປະສົມຂອງໂລກທີ່ຫາຍາກສາມາດຖືກສັງເຄາະໃນຮູບແບບຂອງຜົງ, ເມັດ, ກ້ອນ, ແຖບ, ຊັ້ນໃຕ້ດິນ, ໄປເຊຍກັນຫຼາຍແລະໄປເຊຍກັນດຽວ ...

ບໍ່.	ລາຍການ	ມາດຕະຖານສະເພາະ
ບໍ່.	ລາຍການ	ສູດ	ຄວາມບໍລິສຸດ	ຂະໜາດ & ການຫຸ້ມຫໍ່
1	ສັງກະສີ Telluride	ZnTe	5N	-60mesh, -80mesh powder, 1-20mm ກ້ອນສະຫມໍ່າສະເຫມີ, granule 1-6mm, ເປົ້າຫມາຍຫຼືເປົ່າ. 500g ຫຼື 1000g ໃນຂວດ polyethylene ຫຼືຖົງປະສົມ, ກ່ອງກ່ອງນອກ. ອົງປະກອບຂອງທາດປະສົມ Telluride ສາມາດໃຊ້ໄດ້ຕາມການຮ້ອງຂໍ. ສະເປັກພິເສດແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສາມາດໄດ້ຮັບການປັບແຕ່ງສໍາລັບການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບ
2	ອາເຊນິກ Telluride	As₂Te₃	4N 5N
3	Antimony Telluride	ສ₂Te₃	4N 5N
4	ອາລູມີນຽມ Telluride	Al₂Te₃	4N 5N
5	Bismuth Telluride	Bi₂Te₃	4N 5N
6	ທອງແດງ Telluride	Cu₂Te	4N 5N
7	Cadmium Telluride	CdTe	5N 6N 7N
8	Cadmium Zinc Telluride	CdZnTe, CZT	5N 6N 7N
9	Cadmium Manganese Telluride	CdMnTe, CMT	5N 6N
10	Gallium Telluride	Ga₂Te₃	4N 5N
11	Germanium Telluride	GetTe	4N 5N
12	Indium Telluride	InTe	4N 5N
13	ນໍາ Telluride	PbTe	5N
14	Molybdenum Telluride	ໂມເຕ₂	3N5
15	Tungsten Telluride	WT₂	3N5

ອາລູມີນຽມ Telluride

ອະລູມິນຽມ Telluride Al₂Te₃ຫຼືTriturium Dialuminium, CAS 12043-29-7, MW 436.76, ຄວາມຫນາແຫນ້ນ 4.5g/ຊມ³, ບໍ່ມີກິ່ນ, ເປັນໄປເຊຍກັນສີຂີ້ເຖົ່າ - ສີດໍາ, ແລະມີຄວາມຫມັ້ນຄົງຢູ່ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ, ແຕ່ decomposes ເຂົ້າໄປໃນ hydrogen telluride ແລະອາລູມິນຽມ hydroxide ໃນອາກາດຊຸ່ມ.ອະລູມິນຽມ Telluride Al₂Te₃, ສາມາດໄດ້ຮັບການສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໂດຍ reacting Al ແລະ Te ຢູ່ 1000 ° C, ລະບົບຄູ່ Al-T ປະກອບດ້ວຍໄລຍະກາງ AlTe, Al.₂Te₃(α-phase ແລະβ-phase) ແລະ Al₂Te₅, ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນຂອງ α- Al₂Te₃ແມ່ນ monoclinic.ອະລູມິນຽມ Telluride Al₂Te₃ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບວັດຖຸດິບຢາ, semiconductor ແລະວັດສະດຸ infrared.ອະລູມິນຽມ Telluride Al₂Te₃ຢູ່ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດ 4N 99.99% ແລະ 5N 99.999% ແມ່ນມີຢູ່ໃນຮູບແບບຂອງຜົງ, granule, ກ້ອນ, chunk, bulk crystal ແລະອື່ນໆຫຼືເປັນກໍາຫນົດເອງກັບຊຸດສູນຍາກາດໂດຍຂວດຫຼືຖົງປະສົມ.

ອາເຊນິກ Telluride

Arsenic Telluride ຫຼື Arsenic Ditelluride As₂Te₃, ເປັນທາດປະສົມຂອງກຸ່ມ I-III, ຢູ່ໃນສອງ crystallographic Alpha-As₂Te₃ແລະ Beta-As₂Te₃, ໃນນັ້ນ Beta-As₂Te₃ດ້ວຍໂຄງສ້າງ rhombohedral, ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄຸນສົມບັດ thermoelectric (TE) ທີ່ຫນ້າສົນໃຈໂດຍການປັບເນື້ອໃນຂອງໂລຫະປະສົມ.Polycrystalline Arsenic Telluride As₂Te₃ທາດປະສົມທີ່ຖືກສັງເຄາະໂດຍໂລຫະຜົງອາດຈະເປັນເວທີທີ່ຫນ້າສົນໃຈໃນການອອກແບບວັດສະດຸ TE ທີ່ມີປະສິດຕິພາບສູງ.ໄປເຊຍກັນດຽວຂອງ As2Te3 ຖືກກະກຽມ hydrothermally ໂດຍການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແລະຄ່ອຍໆເຢັນສ່ວນປະສົມຂອງປະລິມານ stoichiometric ຂອງຜົງ As ແລະ Te ໃນການແກ້ໄຂ HCl 25% w/w.ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍເປັນ semiconductors, insulators topological, ອຸປະກອນການ thermoelectric.Arsenic Telluride As₂Te₃ຢູ່ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດ 99.99% 4N, 99.999% 5N ສາມາດໄດ້ຮັບການຈັດສົ່ງໃນຮູບແບບຂອງຜົງ, granule, ກ້ອນ, chunk, bulk crystal ແລະອື່ນໆຫຼືເປັນກໍາຫນົດເອງ.

Bismuth Telluride

Bismuth Telluride Bi₂Te₃, ປະເພດ P ຫຼື N-type, CAS No 1304-82-1, MW 800.76, ຄວາມໜາແໜ້ນ 7.642 g/cm³, ຈຸດລະລາຍ 585⁰C, ຖືກສັງເຄາະໂດຍການລະລາຍສູນຍາກາດ- ຂະບວນການ crystallization ຄວບຄຸມຄືດ້ວຍວິທີ Bridgman-Stockbarber ແລະວິທີການແບບ Zone-floating.ໃນຖານະເປັນວັດສະດຸ semiconductor thermoelectric, Bismuth Telluride pseudo binary alloy ນໍາສະເຫນີຄຸນລັກສະນະທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບອຸນຫະພູມຫ້ອງເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ thermoelectric ສໍາລັບອຸປະກອນຄວາມເຢັນອະເນກປະສົງ miniaturized ໃນ spectrum ກ້ວາງຂອງອຸປະກອນແລະການຜະລິດພະລັງງານໃນຍານພາຫະນະອາວະກາດ.ໂດຍການນໍາໃຊ້ໄປເຊຍກັນແບບປະສົມປະສານທີ່ເຫມາະສົມແທນທີ່ຈະເປັນ polycrystalline, ປະສິດທິພາບຂອງອຸປະກອນ thermoelectric (Thermoelectric Cooler ຫຼື Thermoelectric Generator) ອາດຈະເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ເຊິ່ງສາມາດຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນເຄື່ອງເຮັດຄວາມເຢັນ semiconductor ແລະການຜະລິດໄຟຟ້າຄວາມແຕກຕ່າງຂອງອຸນຫະພູມ, ແລະຍັງສໍາລັບອຸປະກອນ optoelectronic ແລະ Bi2Te3 ບາງໆ. ວັດສະດຸຮູບເງົາ.Bismuth Telluride Bi₂Te₃ຢູ່ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ແມ່ນຢູ່ໃນຂະຫນາດຂອງຝຸ່ນ, granule, ກ້ອນ, rod, substrate, crystal bulk ແລະອື່ນໆທີ່ຈະສົ່ງກັບ 4N 99.99% ແລະ 5N ຄວາມບໍລິສຸດ 99.999%.

Gallium Telluride

Gallium Telluride Ga₂Te₃ເປັນໄປເຊຍກັນສີດໍາແຂງແລະ brittle ມີ MW 522.24, CAS 12024-27-0, ຈຸດ melting 790 ℃ແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນ 5.57g / cm³.Single crystal Gallium Telluride GaTe ຖືກພັດທະນາໂດຍໃຊ້ເຕັກນິກການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ແຕກຕ່າງກັນເຊັ່ນ: Bridgman Growth, Chemical Vapor Transport CVT ຫຼື Flux Zone Growth ເພື່ອເພີ່ມປະສິດທິພາບຂະຫນາດເມັດພືດ, ຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງຂໍ້ບົກພ່ອງ, ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງໂຄງສ້າງ, optical, ແລະເອເລັກໂຕຣນິກ.ແຕ່ເຕັກນິກ Flux zone ແມ່ນເຕັກນິກທີ່ບໍ່ມີ halide ທີ່ໃຊ້ສໍາລັບການສັງເຄາະຂອງໄປເຊຍກັນ semiconductor grade vdW, ເຊິ່ງ distinguishes ຕົວຂອງມັນເອງຈາກ Chemical Vapor Transport CVT ເຕັກນິກເພື່ອຮັບປະກັນການ crystallization ຊ້າສໍາລັບໂຄງສ້າງປະລໍາມະນູທີ່ສົມບູນແບບ, ແລະ impurity free crystal growth.Gallium Telluride GaTe ເປັນ semiconductor ຊັ້ນເປັນຂອງໄປເຊຍກັນປະສົມໂລຫະ III-VI ທີ່ມີການດັດແປງສອງຢ່າງ, ເຊິ່ງມີຄວາມຫມັ້ນຄົງ α-GaTe ຂອງ monoclinic ແລະ metastable β-GaTe ຂອງ hexagonal ໃນໂຄງສ້າງ, ຄຸນສົມບັດການຂົນສົ່ງ p-type ທີ່ດີ, ເປັນແຖບໂດຍກົງ -. ຊ່ອງຫວ່າງຂອງ 1.67 eV ໃນປະລິມານຫຼາຍ, ໄລຍະ hexagonal ປ່ຽນເປັນໄລຍະ monoclinic ໃນອຸນຫະພູມສູງ.Gallium Telluride layered semiconductor ມີຄຸນສົມບັດທີ່ຫນ້າສົນໃຈທີ່ຫນ້າສົນໃຈສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ opto-ເອເລັກໂຕຣນິກໃນອະນາຄົດ.Gallium Telluride Ga₂Te₃ຢູ່ທີ່ Western Minmetals (SC) Corporation ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດ 99.99% 4N, 99.999% 5N ສາມາດໄດ້ຮັບການຈັດສົ່ງໃນຮູບແບບຂອງຜົງ, granule, ກ້ອນ, chunk, rod, bulk crystal ແລະອື່ນໆຫຼືເປັນກໍາຫນົດເອງ.

ເຄັດລັບການຈັດຊື້

ຕົວຢ່າງມີໃຫ້ຕາມຄໍາຮ້ອງຂໍ
ຄວາມປອດໄພການຈັດສົ່ງສິນຄ້າໂດຍ Courier/Air/Sea
ການຄຸ້ມຄອງຄຸນນະພາບ COA/COC
ການຫຸ້ມຫໍ່ທີ່ປອດໄພ & ສະດວກສະບາຍ
ການຫຸ້ມຫໍ່ມາດຕະຖານສະຫະປະຊາຊາດມີໃຫ້ຕາມຄໍາຮ້ອງຂໍ

ISO9001:2015 ໄດ້ຮັບການຮັບຮອງ
ເງື່ອນໄຂ CPT/CIP/FOB/CFR ໂດຍ Incoterms 2010
ເງື່ອນໄຂການຈ່າຍເງິນທີ່ປ່ຽນແປງໄດ້ T/TD/PL/C ຍອມຮັບ
ບໍລິການຫຼັງການຂາຍແບບເຕັມຮູບແບບ
ການກວດກາຄຸນນະພາບໂດຍສະຖານປະກອບການທີ່ທັນສະໄໝ

ການອະນຸມັດກົດລະບຽບ Rohs/REACH
ຂໍ້ຕົກລົງທີ່ບໍ່ເປີດເຜີຍຂໍ້ມູນ NDA
ນະໂຍບາຍບໍ່ແຮ່ທີ່ບໍ່ຂັດແຍ້ງ
ການທົບທວນຄືນການຄຸ້ມຄອງສິ່ງແວດລ້ອມເປັນປົກກະຕິ
ການປະຕິບັດຄວາມຮັບຜິດຊອບຕໍ່ສັງຄົມ

Sb₂Te₃ Al₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃

ທີ່ຜ່ານມາ: ສັງກະສີ Telluride ZnTe |Cu₂Te GeTe InTe PbTe

ຕໍ່ໄປ: Tungsten Selenide WSe₂|ໂມເຊ₂ Cu₂Se 3N 3N5 4N

Antimony Telluride Sb₂Te₃|ອັນ₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

ລາຍລະອຽດ